您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CS7N60A8HD

CS7N60A8HD 发布时间 时间:2025/8/1 13:42:31 查看 阅读:21

CS7N60A8HD 是一款由华润微电子(CRMicro)推出的高性能高密度超级结(Super Junction)功率MOSFET。该器件采用了先进的沟槽型超级结技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(600V)和优异的开关性能,适用于高频、高效率的开关电源应用。CS7N60A8HD 采用TO-220F或类似的封装形式,具有良好的热管理和散热性能,适用于工业电源、适配器、充电器、LED照明电源、DC-DC转换器等多种应用。该器件在性能和成本方面实现了良好的平衡,广泛用于替代国际品牌中的类似功率MOSFET产品。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):7A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.8Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220F

特性

CS7N60A8HD 采用了华润微电子自主研发的超级结(Super Junction)结构,显著降低了导通电阻并提高了器件的耐压能力。与传统MOSFET相比,超级结技术大幅提高了功率密度,使得该器件在高温和高负载条件下仍能保持优异的性能。
  其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件的开关损耗较低,适合在高频环境下工作,从而减小电源系统的体积并提高功率密度。
  此外,CS7N60A8HD 内置了良好的热保护性能,能够在高负载工作条件下维持稳定的运行,延长系统的使用寿命。其封装设计具备良好的散热能力,适用于各种高功率应用场景。
  在可靠性方面,CS7N60A8HD 经过了严格的测试和验证,具有较高的抗雪崩能力和抗过载能力,能够在恶劣的工作环境中保持稳定。其栅极氧化层设计也具有良好的耐压特性,防止因栅极电压波动导致的失效问题。
  CS7N60A8HD 还具有良好的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电源应用。

应用

CS7N60A8HD 主要应用于各种中高功率开关电源系统,如AC-DC电源适配器、笔记本电脑充电器、LED照明电源、服务器电源、工业电源设备等。由于其优异的开关性能和高效率特性,CS7N60A8HD 特别适合用于高频工作的开关电源拓扑结构,如反激式(Flyback)、半桥(Half-Bridge)和LLC谐振变换器等。
  在消费电子领域,CS7N60A8HD 可用于各类电源适配器、快充充电器、智能家电电源系统等。在工业应用中,它可用于工业控制电源、变频器、电机驱动系统等。此外,该器件也适用于光伏逆变器、储能系统和UPS不间断电源等新能源相关应用。
  由于其良好的散热设计和高可靠性,CS7N60A8HD 也被广泛应用于车载电子系统、车载充电器(OBC)以及新能源汽车的电源管理模块中。

替代型号

FQP7N60C、STF7NM60N、SiHP07N60EF、CS8N60A8HD

CS7N60A8HD推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价