时间：2025/8/2 2:46:22
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CS7N60是一款常用的N沟道增强型高压MOSFET，广泛应用于电源开关、DC-DC转换器、电机控制以及各类电子设备的功率管理电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有良好的热稳定性和高可靠性，封装形式多为TO-220或TO-252（DPAK），便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7A（在25℃）
功耗(Pd)：45W
导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω（最大值1.5Ω）
工作温度范围：-55℃～150℃
封装形式：TO-220、TO-252等
CS7N60具有优异的开关性能和低导通电阻特性，这使其在高频开关应用中表现良好。其高耐压能力（600V）使得该MOSFET适用于多种高压电路设计，如开关电源（SMPS）、逆变器和LED驱动器等。
此外，CS7N60具备较强的过载和瞬态电流承受能力，有助于提高系统的稳定性和抗干扰能力。该器件还采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
由于其栅极驱动要求较低（通常为10V以上即可完全导通），CS7N60可与多种常见的驱动IC或微控制器直接配合使用，简化了电路设计并降低了系统成本。
CS7N60常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED照明驱动、电机控制、电池充电器、UPS不间断电源、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。其高压、中等电流的特性也使其在家电控制电路中广泛应用，例如电磁炉、变频空调等。
FQP7N60、IRF7N60、STP7NK60Z、2SK2142、2SK2545
