类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：7A（常温下）
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
　　最大耗散功率（PD）：30W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、DPAK等常见功率封装

CS7N60 A4R MOSFET具备多项优异特性，适用于多种高要求的功率应用环境。
　　首先，其高达600V的漏源电压额定值，使其非常适合用于高电压开关电路，例如AC-DC电源转换器和功率因数校正（PFC）电路。该器件在高温环境下依然能保持稳定的性能，得益于其良好的热管理和耐高温能力。
　　其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常在1.2Ω左右，这有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC变换器，有助于减小外围电感和电容的体积，提高功率密度。
　　再者，CS7N60 A4R具备较强的抗过载能力和良好的雪崩能量承受能力，提升了器件在恶劣工作条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，兼容多种常见的MOSFET驱动IC。
　　在封装方面，该器件通常采用TO-220或DPAK等标准封装，便于散热设计和PCB布局，适合批量生产和工业应用。

CS7N60 A4R 常用于各种需要高压、中等电流开关能力的电子系统中。典型应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关器件，适用于反激式或正激式电源拓扑；
　　2. 电机驱动和H桥电路中的高边或低边开关；
　　3. 功率因数校正（PFC）电路中的开关元件；
　　4. DC-DC转换器中的高频开关器件，如升压（Boost）或降压（Buck）转换器；
　　5. 负载开关、电源管理系统以及电池充电器中的控制开关；
　　6. 工业自动化设备、LED驱动电源、家电控制模块等高可靠性应用场合。
　　由于其良好的电气性能和热稳定性，CS7N60 A4R在工业、消费电子、通信电源和新能源设备中均有广泛应用。

FQP7N60C、2SK2142、2SK2545、IRF7N60A、STP7NK60Z