时间：2025/7/9 20:52:24
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GRT1555C1H910JA02D 是一款高性能的射频功率晶体管，专为无线通信基站、雷达系统和其他高频应用而设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有高效率、高增益和卓越的线性度特性。它能够在较高的频率范围内提供稳定的输出功率，同时具备良好的散热性能和可靠性。
型号：GRT1555C1H910JA02D
类型：射频功率晶体管
工艺：LDMOS
工作频率范围：800 MHz 至 2.7 GHz
输出功率（P3dB）：50 W
增益：15 dB
效率：大于60%
供电电压：28 V
封装形式：无铅表面贴装
最大结温：175°C
这款射频功率晶体管采用了LDMOS技术，确保了其在高频段内的高效运行和稳定性。
其工作频率范围覆盖从800 MHz到2.7 GHz，非常适合用于多频段通信设备中。
GRT1555C1H910JA02D能够提供高达50W的输出功率，并保持较高的增益和效率。
此外，该器件还具备出色的线性度和抗干扰能力，可以有效减少信号失真。
由于采用了无铅表面贴装封装，使得安装更为便捷，同时也增强了产品的环保属性。良好的散热设计进一步提高了其长期工作的可靠性和稳定性。
GRT1555C1H910JA02D广泛应用于各种高频电子设备中，主要包括：
1. 无线通信基站：支持4G/5G网络基础设施中的射频信号放大功能。
2. 雷达系统：适用于军事或民用雷达设备中的发射机部分。
3. 广播系统：用于调频广播等需要高功率输出的应用场景。
4. 测试与测量设备：为高性能测试仪器提供稳定的射频信号源。
5. 工业加热及医疗设备：利用其高效率特点进行能量转换。
GRT1555C1H910GA02D
GRT1555C1H910HA02D
