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CS6N70CRHD 发布时间 时间:2025/8/1 15:07:21 查看 阅读:28

CS6N70CRHD是一款由COSMO(科索)公司生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源转换系统,如DC-DC转换器、电源管理模块和电机驱动器等应用。CS6N70CRHD采用了先进的平面技术,具有低导通电阻、高耐压和卓越的热稳定性等特点,使其在高频和高负载条件下仍能保持稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):700V
  连续漏极电流(Id):6A
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2Ω(最大值1.5Ω)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-252(DPAK)
  功率耗散(Pd):50W
  漏极电容(Coss):典型值为80pF
  栅极电荷(Qg):典型值为16nC

特性

CS6N70CRHD具有多项显著的性能优势。首先,其高耐压能力(700V)使其适用于高压电源转换应用,能够有效减少电路中的元件数量并提高系统的整体效率。其次,该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))降低了导通损耗,提高了能效,并减少了散热需求。此外,CS6N70CRHD具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,增强了系统的可靠性和寿命。其TO-252封装不仅体积小巧,而且散热性能良好,适合在空间受限的设计中使用。CS6N70CRHD还具有快速开关特性,能够支持高频操作,从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。

应用

CS6N70CRHD广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制模块、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统。其高耐压、低导通电阻和良好的热管理特性使其成为高压、高效率应用的理想选择。此外,CS6N70CRHD也可用于消费类电子产品、汽车电子系统和可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风能控制系统。

替代型号

FQP7N80C, STF7NM80T, IRF730HD

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