类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：700V
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(ON)）：典型值1.5Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
　　最大功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220

CS6N70A4R-G具有多项优异的电气特性和高可靠性。其最大漏源电压为700V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用场景。漏极电流最大可达6A，为中高功率设计提供了良好的电流承载能力。导通电阻较低，典型值为1.5Ω，在工作过程中能够减少功率损耗，提升整体效率。此外，该MOSFET的栅极阈值电压范围为1V至3V，便于驱动电路设计，降低了控制难度。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。最大功率耗散为50W，支持长时间高负载工作而不易损坏。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子等复杂环境下的应用。
　　CS6N70A4R-G还具备优异的抗雪崩击穿能力和较高的短路耐受性，确保在异常工况下依然保持稳定运行。这些特性使得该MOSFET在开关电源、DC-DC转换器、马达驱动和功率因数校正（PFC）电路中表现出色。

CS6N70A4R-G主要应用于各类高功率和高压电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电路、功率因数校正（PFC）模块以及马达控制电路。此外，该MOSFET也广泛用于工业自动化设备、家电控制板、通信电源模块以及电动车充电器等场景。由于其优异的耐压能力和良好的导通性能，CS6N70A4R-G非常适合用于需要高可靠性和高效能的电源管理系统。

FQP7N80C, STF7NM80, IRF840, 2SK2142