CS6N70A3H是一款功率MOSFET,适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压特性,使其非常适合用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流:6A
漏源电压:700V
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.5Ω
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C至150°C
CS6N70A3H具备一系列优良的电气特性和可靠性,适合各种高要求的电子应用。其主要特性包括:
? 高耐压:漏源电压达到700V,使其适用于高电压环境。
? 低导通电阻:1.5Ω的Rds(on)有助于降低导通损耗,提高系统效率。
? 高电流容量:支持6A的漏极电流,满足中高功率需求。
? 热稳定性好:工作温度范围从-55°C到150°C,适应极端环境。
? 封装紧凑:TO-220封装形式便于安装和散热设计,适合各种电路布局。
? 适用于多种电源管理应用:包括开关电源、DC-DC转换器、马达控制和负载开关。
? 内置保护功能:具备过热保护和静电放电(ESD)保护功能,提高器件的可靠性和使用寿命。
CS6N70A3H广泛应用于各种电源管理系统,包括:
? 开关电源(SMPS)
? DC-DC转换器
? 负载管理和电源开关
? 电动工具和工业设备
? 家用电器和消费电子产品
? 电动车辆和电池管理系统
? 工业自动化和控制系统
IRF740, FQP7N80, STP8NK80Z