产品类型：MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：17A
　　脉冲漏极电流(Idm)：68A
　　导通电阻(Rds(on))：4.7mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：6.1mΩ @ Vgs=2.5V
　　栅极电荷(Qg)：9nC @ Vgs=4.5V
　　输入电容(Ciss)：500pF @ Vds=10V
　　开启延迟时间(Td(on))：4ns
　　关断延迟时间(Td(off))：10ns
　　反向恢复时间(Trr)：14ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L

UVR2V101MRD6采用Vishay成熟的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为4.7mΩ，显著降低了在大电流应用中的功率损耗，从而减少发热并提升系统效率。该器件的低栅极电荷（Qg=9nC）和低输入电容（Ciss=500pF）使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少驱动损耗并加快开关速度，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧（典型尺寸约为3mm x 3mm），还具备优异的热传导性能。该封装采用无引线设计，减少了寄生电感和电阻，提升了高频响应能力。同时，底部裸露焊盘可直接连接至PCB的散热区域，实现高效的热传导，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。此外，该封装与标准SO-8兼容，便于自动化贴片生产，提高了制造效率。
　　该MOSFET具有良好的栅极氧化层可靠性，栅源电压额定值为±12V，可耐受一定的电压瞬变，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。其开启延迟时间为4ns，关断延迟时间为10ns，表明其具备快速的开关响应能力，有助于减少开关过程中的交越损耗。体二极管的反向恢复时间仅为14ns，说明其具备较快的反向恢复特性，降低了在同步整流或桥式电路中因反向恢复引起的损耗和噪声，有助于改善EMI性能。
　　UVR2V101MRD6的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用场景。器件符合AEC-Q101车规认证要求（如适用型号），可在高温、高湿、振动等恶劣环境下稳定运行。其无铅、无卤素的环保设计也满足现代电子产品对绿色制造的要求。总体而言，该器件在性能、尺寸、可靠性和成本之间达到了良好平衡，是中小功率电源管理设计中的优选方案。

UVR2V101MRD6广泛应用于需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。常见应用包括同步降压转换器中的下管或上管，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，用于为CPU、GPU或ASIC供电。其低Rds(on)和高电流能力使其成为DC-DC电源模块的理想选择，可用于通信设备、服务器电源、嵌入式系统和工业控制电源中。
　　在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充放电管理电路、负载开关和电源路径控制，帮助延长电池续航并提高能效。此外，在电机驱动应用中，如无人机电调、小型伺服系统或电动工具，UVR2V101MRD6可用于H桥或半桥拓扑中的开关元件，提供快速响应和低功耗控制。
　　该器件也适用于LED驱动电源、热插拔控制器和ORing电路中，作为理想二极管替代方案，减少正向压降和发热。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电单元等，满足严苛的环境和可靠性要求。其高频开关能力还支持谐振转换器和软开关拓扑的应用，进一步提升系统效率。

SiR251DP-T1-GE3,SiR24ADP-T1-E3,SiR146DP,TSM2304CX