类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6A @25℃
　　脉冲漏极电流(Idm)：24A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.3Ω（最大1.5Ω）
　　功耗(Pd)：80W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

CS6N120AHR-G具备多项优良特性，使其在高性能电源管理领域表现出色。
　　首先，其1200V的高漏源电压额定值使它适用于高压应用场景，例如工业电源、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。此外，该MOSFET的最大连续漏极电流可达6A，在良好的散热条件下能够维持稳定运行。
　　其次，CS6N120AHR-G的导通电阻Rds(on)较低，典型值为1.3Ω，有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。同时，该器件具备快速开关能力，可应用于高频开关电路，从而减小磁性元件的体积，提升功率密度。
　　另外，CS6N120AHR-G采用TO-220封装，具备良好的热管理和机械强度，适用于各种标准PCB安装方式。该封装也有助于有效的热量散发，确保在较高负载下仍能保持稳定的性能。
　　最后，该MOSFET内置了静电放电（ESD）保护功能，并通过了严格的工业级测试，确保其在复杂电磁环境中具备较高的可靠性和抗干扰能力。

CS6N120AHR-G广泛应用于多个高压和高效能的电力电子系统中。其主要应用包括：
　　在DC-DC转换器中，CS6N120AHR-G可用于升压或降压拓扑结构，适用于通信设备、服务器电源和便携式电子产品的供电模块。
　　在AC-DC电源适配器中，该器件常用于PFC（功率因数校正）电路或主开关电路，以实现更高的能量转换效率和更低的谐波失真。
　　此外，CS6N120AHR-G也适用于马达控制和驱动电路，例如电动工具、家用电器和自动化控制系统中的H桥驱动拓扑。
　　在LED照明系统中，该MOSFET可用于恒流驱动电路，提供稳定且高效的光源控制。
　　新能源领域方面，CS6N120AHR-G可应用于光伏逆变器、储能系统的充放电管理电路以及电动车充电桩中的功率变换模块。

IXFN6N120Q, FGP6N120TD, STW11NK120Z