CS630 时间：2025/8/2 1:52:37 阅读：17

CS630 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效率和高速开关操作，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：26A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：TO-220

特性

CS630 具有较低的导通电阻（Rds(on)），使其在高电流条件下具有较低的功率损耗，从而提高整体效率。其 60V 的漏源电压能力适用于多种中高功率应用，包括电源适配器、电池充电器和 DC-DC 转换器。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅压操作，使其兼容多种驱动电路设计。CS630 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于苛刻的工作环境。
　　TO-220 封装提供了良好的散热性能，并且易于安装在标准的 PCB 板上。该封装形式在工业应用中非常常见，具有较高的可靠性和机械强度。
　　CS630 在制造过程中采用了先进的硅工艺技术，确保了器件的高可靠性和长寿命。同时，其低导通电阻和快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。

应用

CS630 主要用于以下类型的电路和系统中：
　　? 开关电源（SMPS）
　　? DC-DC 转换器
　　? 电机驱动器
　　? 负载开关
　　? 电池管理系统
　　? 工业控制系统
　　? 电源管理模块
　　在这些应用中，CS630 可以作为主开关元件，负责高效地控制电流流动，实现电压转换或功率调节。由于其高电流承载能力和低导通损耗，CS630 特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源设计。