型号：CS5N90FA9H
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单路

CS5N90FA9H 具备多项优良特性，适用于高要求的功率应用。首先，其漏源电压高达 900V，使得该器件能够在高压环境下稳定运行，适用于诸如开关电源和功率因数校正（PFC）电路等应用。其次，该 MOSFET 的导通电阻最大为 2.5Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，CS5N90FA9H 采用了 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。
　　该器件支持高达 ±30V 的栅极电压，具备较强的抗干扰能力，同时在高频工作条件下保持良好的开关性能。其最大漏极电流为 5A，适用于多种功率变换器拓扑结构，如升压（Boost）、降压（Buck）以及反激（Flyback）电路。此外，CS5N90FA9H 的最大功率耗散为 125W，支持在较高环境温度下稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　在可靠性方面，CS5N90FA9H 设计有高抗静电能力，适合在工业环境中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保了在极端温度条件下的正常工作。该器件广泛用于电机驱动、LED 照明电源、电池充电器以及工业自动化设备等应用中。

CS5N90FA9H 主要用于需要高电压和中等电流能力的功率电子系统中。其典型应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、功率因数校正（PFC）模块、LED 照明驱动器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也适用于逆变器和 UPS（不间断电源）系统中的高频开关应用。由于其优良的热稳定性和电气性能，CS5N90FA9H 在设计中可以实现更高的系统效率和更小的散热器尺寸，从而节省整体系统空间和成本。

FQP9N90C, STF9N90M, IRF840, SPW9N90C3