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CS5N70FA9 发布时间 时间:2025/8/1 19:59:27 查看 阅读:6

CS5N70FA9是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)设计的高压MOSFET功率晶体管,广泛用于开关电源、DC-DC转换器和其他高功率电子设备中。该器件采用了先进的平面MOSFET技术,提供了卓越的性能和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:5A
  漏源电压(Vds):700V
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散:50W

特性

CS5N70FA9具有低导通电阻,可以减少导通损耗,提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高电压应用,如电源适配器、LED照明驱动器和工业电源系统。
  此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和过载保护功能,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其TO-220封装形式有助于有效散热,延长器件使用寿命。
  该器件还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,从而减小外部元件的尺寸并提高系统响应速度。这使得CS5N70FA9在电源管理方案中具有广泛的应用前景。

应用

CS5N70FA9主要用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、LED驱动电源、工业控制系统以及高电压直流电源管理设备。

替代型号

FQP7N80、IRF820、STP5NK80Z、CS1N70FA9、CS5N65F16

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