时间：2025/8/1 14:31:19
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CS5N20A3是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压和大电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等场合。CS5N20A3在设计上优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，以提高整体系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：200V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：最大2.5Ω（在Vgs=10V条件下）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
CS5N20A3具有低导通电阻，可降低功率损耗并提高系统效率。
该MOSFET具备高耐压特性，漏极-源极电压可达200V，适用于高压应用环境。
其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够承受较大的功率损耗。
CS5N20A3的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，便于与多种驱动电路兼容。
此外，该器件具备快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源设计。
在极端工作条件下，如高温或高湿度环境下，CS5N20A3仍能保持稳定的电气性能。
CS5N20A3广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、AC-DC适配器以及开关电源模块。
在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动、继电器控制和自动化设备的功率开关。
由于其高耐压和大电流特性，CS5N20A3也常用于LED照明驱动、电池充电器和储能系统。
在汽车电子中，该器件可用于车载电源转换器、车载娱乐系统电源管理模块等应用。
此外，CS5N20A3还可用于逆变器、不间断电源（UPS）以及其他高功率电子设备中。
FDPF5N20, STP5NK20Z, IRF540N
