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CS4N80A8 发布时间 时间:2025/8/1 12:29:06 查看 阅读:15

CS4N80A8是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率功率开关的场合。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有优异的导通电阻、开关特性和热稳定性。CS4N80A8通常采用TO-220或DPAK等封装形式,适用于工业级和消费类电子设备的设计。该器件的主要特点是高耐压、低导通电阻和高可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极-源极电压(Vds):800V
  最大漏极电流(Id):4A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为2.5Ω(具体数值可能根据测试条件有所变化)
  栅极-源极电压(Vgs):±30V
  最大功耗(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220、DPAK(根据制造商不同可能有所不同)

特性

CS4N80A8具备多项优异的电气和物理特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(800V)使其适用于高输入电压的电源设计,例如AC-DC转换器和高压DC-DC变换器。其次,低导通电阻有助于降低导通损耗,提高整体系统效率,同时减少发热,提高可靠性。
  此外,CS4N80A8具有良好的热稳定性和高功率耗散能力,能够在高负载条件下保持稳定运行。其坚固的封装设计(如TO-220)提供了良好的散热性能,适用于需要长时间高负载工作的应用场景。
  该器件还具备快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高电源系统的动态响应能力。适用于高频开关电源、同步整流、电机控制和负载开关等应用。其宽广的工作温度范围也使其适用于各种严苛环境下的电子设备,如工业控制系统、电源适配器和LED驱动器等。
  最后,CS4N80A8的栅极驱动特性较为稳定,能够与常见的MOSFET驱动IC兼容,便于设计和集成到现有的功率电路中。

应用

CS4N80A8广泛应用于各种功率电子设备中,主要适用于需要高耐压、中等电流和高效能的场合。典型应用包括:
  1. **开关电源(SMPS)**:作为主开关或同步整流元件,用于AC-DC和DC-DC转换器中,提供高效的能量转换。
  2. **电机驱动电路**:用于控制直流电机、步进电机或伺服电机的H桥电路中,实现高效的电机控制。
  3. **负载开关**:在电源管理系统中用作负载开关,实现对不同负载的高效控制和隔离。
  4. **LED驱动器**:用于恒流驱动电路中,为高亮度LED提供稳定的电流输出,提高照明系统的效率和寿命。
  5. **电池管理系统(BMS)**:用于电池充放电控制电路中,确保电池组的安全和高效运行。
  6. **工业自动化设备**:在工业控制和自动化系统中,用于各种功率开关和继电器替代应用,提高系统的响应速度和稳定性。

替代型号

CS4N80A8的替代型号包括:STP4NK80Z、FQP4N80、IRF840、SIHF8N80C、K2543、CS1N80A、CS4N80A、CS4N80K、CS4N80C等。这些型号在某些参数上可能略有差异,使用时需参考各自的数据手册以确保兼容性和性能满足设计要求。

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