类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650V
　　最大漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(RDS(on))：1.7Ω @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V ~ 4V
　　最大功率耗散(PD)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

CS4N65A3R-G具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET的最大漏源电压为650V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。其最大漏极电流为4A，满足中等功率开关需求。导通电阻RDS(on)为1.7Ω，在VGS=10V时能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，使得其能够兼容多种驱动电路，如常见的PWM控制器和微处理器输出。同时，CS4N65A3R-G具有良好的热稳定性，在高功率工作条件下仍能保持较低的温升，延长器件使用寿命。
　　此外，CS4N65A3R-G采用TO-220封装，具备优良的散热性能，适用于需要长时间高负载工作的应用场景。该封装形式也便于手工焊接和自动化装配，适合批量生产。在制造工艺方面，CS4N65A3R-G基于安森美半导体的先进平面技术，确保了器件的一致性和可靠性。
　　综合来看，CS4N65A3R-G是一款适用于多种电源和功率控制场合的高性能MOSFET，具备高耐压、低导通电阻、良好的热管理能力和易于集成的特点。

CS4N65A3R-G由于其优异的电气性能和可靠的封装设计，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器件，以提高整体效率并降低能耗。
　　在LED照明系统中，CS4N65A3R-G可用于恒流驱动电路，确保LED灯珠稳定工作，延长使用寿命。在工业自动化和控制系统中，该器件可用作电机驱动、继电器替代和负载开关，提供高效的控制和保护功能。
　　此外，CS4N65A3R-G也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，帮助实现更安全、高效的电池使用。在家电领域，如电磁炉、电热水器等设备中，该MOSFET可用于功率调节模块，实现精确的温度控制和节能效果。
　　由于其具备较高的电压和电流能力，CS4N65A3R-G还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电动车充电模块等高可靠性应用场景。

FQP4N60C / IRF740 / STP4NK60Z / 2SK2545