时间：2025/7/10 7:10:55
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DSS60600MZ4-13 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高电压和大电流的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换系统中。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够有效降低功率损耗并提高系统的整体效率。其封装形式通常为 TO-247 或类似的功率封装，便于散热和集成到各种工业及消费类电子产品中。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：60A
导通电阻：45mΩ（典型值）
栅极电荷：85nC（典型值）
开关时间：ton=45ns，toff=60ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
热阻（结到壳）：0.5℃/W
1. 高击穿电压，支持高达 600V 的漏源电压，确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关性能，具备较低的栅极电荷和开关时间，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作。
5. 强大的过流保护能力，提升系统的安全性和耐用性。
6. 采用标准的 TO-247 封装，易于安装和散热设计。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的功率管理模块。
6. 各种需要高效功率转换的工业和消费类电子设备。
DSS60600MZ4-15, IRFP460, STP60NF60
