类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：650V
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　最大连续漏极电流 Id：4A
　　最大功率耗散 Pd：50W
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 2.8Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

CS4N65A3HD-G 在设计上具备多项优势，首先其高耐压能力（650V）使其适用于高电压电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、LED 照明驱动和电机控制。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保在工作时减少功率损耗，从而提高整体系统的效率。
　　此外，CS4N65A3HD-G 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行。TO-220 封装不仅提供了优良的散热性能，还支持紧凑的 PCB 设计，非常适合对空间要求较高的电子产品。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可适应多种控制电路设计需求，提高了灵活性。
　　CS4N65A3HD-G 还具备较强的抗过载能力，能够在短时高电流条件下维持正常工作，而不会发生损坏。这一特性对于需要应对突发负载变化的应用场景（如工业自动化设备和电源适配器）尤为重要。最后，该器件符合 RoHS 环保标准，确保在现代电子制造中满足环保要求。

CS4N65A3HD-G 主要用于各类电源管理和功率转换系统，包括开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器、DC-DC 转换器和电机控制电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件在高效率电源设计中表现出色，能够有效减少能量损耗并提升系统稳定性。
　　在工业自动化领域，CS4N65A3HD-G 可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载设备。在消费电子产品中，该器件常用于电源适配器、充电器和家用电器的功率控制模块。此外，该 MOSFET 还适用于太阳能逆变器和电池管理系统等新能源应用，为可再生能源系统提供高效可靠的功率控制方案。

FQP4N65C, IRFBC4N65A