CS4N60FA9HDY 时间：2025/8/1 23:13:33 阅读：17

CS4N60FA9HDY 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器和电源管理系统中。该器件采用先进的Super Junction技术，具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的开关性能，适用于高效节能的电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.3Ω（最大1.5Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220-3

特性

CS4N60FA9HDY 采用安森美半导体的Super Junction（超级结）技术，显著降低了导通电阻并提高了器件的耐压能力。该MOSFET具有以下关键特性：
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
　　其次，该器件具有高击穿电压（600V），能够在高压环境下稳定运行，适用于各种电源转换器应用。
　　此外，CS4N60FA9HDY 的开关性能优异，具有快速的开关速度和较低的开关损耗，有助于实现高频率工作模式，减少外部元件的尺寸，提升功率密度。
　　该器件的封装形式为TO-220-3，具有良好的散热性能，适合在中高功率应用场景中使用，并且具备良好的可靠性和热稳定性。
　　最后，CS4N60FA9HDY 具有较高的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供更稳定的性能保障。

应用

CS4N60FA9HDY 主要用于各类开关电源系统中，例如AC-DC适配器、电池充电器、LED照明驱动电源、电信电源模块以及DC-DC转换器等。此外，该MOSFET也可用于电机控制、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其优异的高压特性和高效率表现，CS4N60FA9HDY 特别适合应用于需要高效能、高可靠性的电源系统设计中。