时间：2025/7/3 23:27:32
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DMN3115UDM-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃特（N-Channel）功率 MOSFET，采用 DFN2020-6 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，使其非常适合于需要高效能和紧凑设计的应用场景。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的电源管理电路。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷：8nC
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：DFN2020-6
DMN3115UDM-7 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适用于 DC-DC 转换器等应用。
3. 小型化封装 DFN2020-6 提供出色的热性能和节省空间的优势。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品对绿色设计的要求。
5. 稳定的工作温度范围，确保在恶劣环境下也能可靠运行。
这款功率 MOSFET 主要用于以下应用场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类负载开关和电机驱动电路。
3. 电池保护及便携式设备的电源管理。
4. 工业自动化和通信基础设施中的信号调节与功率分配。
5. 任何需要低损耗和快速切换的电路设计。
DMN3027UW-7, DMN3029UCN-7
