CS4N60A4D 时间：2025/8/1 20:46:42 阅读：13

CS4N60A4D 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的高压工艺制造，具有高耐压、低导通电阻和高开关性能的特点，适用于如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器和电机控制等高功率应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：4A
　　最大漏源电压 (Vds)：600V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±30V
　　导通电阻 (Rds(on))：2.5Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

CS4N60A4D 的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达 600V，使其适用于高电压应用环境。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在高温环境下运行。CS4N60A4D 还具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。其 ±30V 的栅源电压容限也提高了器件在复杂控制电路中的适应性。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合安装在需要高功率处理能力的电路板上。同时，其紧凑的设计和高集成度有助于减少电路的整体尺寸和重量，提升系统的集成化水平。此外，CS4N60A4D 还具备较强的抗干扰能力和过载保护能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。

应用

CS4N60A4D 常用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电池管理系统、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。在开关电源中，CS4N60A4D 作为主开关元件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，再经过变压器和整流滤波电路输出稳定的直流电压。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的电压转换。此外，CS4N60A4D 也广泛应用于家电、新能源系统和电动车充电设备等领域，满足不同应用场景对功率器件的高性能需求。