LL55C7V5是一种高性能的功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频应用中提供高效能表现。
LL55C7V5采用了先进的半导体工艺制造,能够承受较高的电压和电流,并具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:750V
连续漏极电流:5.5A
导通电阻:1.2Ω
栅极电荷:35nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
LL55C7V5的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功耗和提高效率。
3. 快速开关速度,支持高频工作环境。
4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然保持性能。
5. 优异的电气性能,适用于多种工业和消费类电子设备。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使得LL55C7V5成为许多高要求应用的理想选择。
LL55C7V5主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业控制设备
5. 电池充电器
6. 逆变器
7. 照明系统中的镇流器
由于其出色的性能和可靠性,LL55C7V5被广泛用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。
LL55C7V5B, IRF840, STP55NF75