CS4N60A3R 时间：2025/8/2 1:51:14 阅读：21

CS4N60A3R是一款功率MOSFET，通常用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的高压工艺制造，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于高效、高性能的开关电路设计。CS4N60A3R采用TO-220封装，适用于多种工业和消费类应用。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散：50W

特性

CS4N60A3R具有多个关键特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用，如电源适配器、LED驱动器和AC-DC转换器。其次，该器件的导通电阻较低，约为2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，CS4N60A3R的漏极电流额定值为4A，使其能够在中等功率应用中提供可靠的性能。
　　该器件的栅极-源极电压范围为±30V，提供较强的栅极驱动能力，确保在各种工作条件下能够可靠地导通和关断。同时，CS4N60A3R具有较宽的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于严苛的环境条件。
　　在封装方面，CS4N60A3R采用TO-220封装，具有良好的散热性能，并且易于安装在标准的PCB布局中。这种封装形式广泛用于功率电子设备，确保了良好的热管理和电气隔离。

应用

CS4N60A3R广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。典型应用包括AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、开关电源（SMPS）、电池充电器以及电机控制电路。由于其高耐压能力和较低的导通电阻，CS4N60A3R在这些应用中能够实现高效的能量转换和稳定的性能。
　　此外，该器件还可用于工业自动化设备、消费类电子产品以及家用电器中，作为关键的开关元件。在这些应用中，CS4N60A3R能够提供可靠的功率控制，满足高效率和低功耗的设计需求。