类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：3A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：800V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.2Ω（在VGS=10V）
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

CS3N80A4R MOSFET 具有以下显著特性：首先，其高耐压能力达到800V，使其适用于高电压开关应用，如电源适配器、LED驱动器和工业控制设备。其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，CS3N80A4R 采用了先进的Trench沟道技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。其封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，适合高功率应用。此外，CS3N80A4R 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），提供了灵活的驱动选项，并增强了抗干扰能力。在应用中，该器件能够有效降低系统功耗，提高整体能效，并具有较长的使用寿命。

CS3N80A4R MOSFET 广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明驱动器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外，由于其优异的开关性能和较高的耐压能力，CS3N80A4R 也适用于需要高效率和高稳定性的电源管理系统。在消费类电子产品中，例如电源适配器和智能家电控制电路中，该MOSFET可以作为主开关器件，实现高效能和紧凑型设计。同时，该器件还可用于电池管理系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等应用中。

STW20NK80Z, FQA3N80, 2SK2545