工作频率：2.0 GHz - 4.0 GHz
　　输出功率：典型值为 58 dBm（630 W）@ 2.7 GHz
　　增益：典型值为 13 dB
　　效率：典型值为 60%
　　电源电压：50 V
　　输入驻波比（VSWR）：2:1
　　输出驻波比（VSWR）：10:1
　　封装形式：陶瓷封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

RMPA1902-58 射频功率放大器芯片具有多项突出特性。首先，其采用 GaN 技术，具备高功率密度和高击穿电压能力，能够在高功率下稳定工作，适用于大功率通信设备。其次，该芯片具有高效率，典型效率为 60%，有助于降低功耗，提高系统能效，减少散热需求，适用于高密度集成设计。
　　此外，RMPA1902-58 在 2.0 GHz 至 4.0 GHz 的频率范围内提供稳定性能，适用于多种无线通信标准，如 LTE、WiMAX 和 5G 基站等。其高线性度和低失真特性使其在数字通信系统中表现出色，能够有效减少信号失真和互调干扰，提升系统整体性能。
　　该芯片还具备良好的热管理能力，采用高性能陶瓷封装，有助于散热，提高可靠性。其输入和输出 VSWR 指标表现良好，确保与系统其他部分的良好匹配，降低驻波引起的信号反射和损耗。此外，RMPA1902-58 的高耐用性和宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C），使其适用于各种恶劣环境下的应用，包括户外基站、军事通信和工业设备。

RMPA1902-58 主要用于需要高功率放大的射频系统中。典型应用包括 5G 通信基站、WiMAX 基站、LTE 基站等无线基础设施设备中的射频前端模块。此外，该芯片也适用于雷达系统、测试仪器、广播发射机以及工业和军事通信设备中的高功率射频放大环节。其高效率和高线性度特性使其在现代通信系统中能够提供更稳定的信号传输和更高的数据吞吐量，满足高性能通信设备的需求。

CGH40055（Wolfspeed），NPT1007（NXP），G1902SC（GaN Systems）