类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：3A
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω（在VGS=10V时）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W

CS3N65A4H-G 采用先进的高压MOSFET技术，具备出色的导通和开关性能。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻：有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高耐压能力：650V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用。
　　? 高可靠性：采用优质封装材料和制造工艺，确保器件在高温和高应力环境下稳定工作。
　　? 热稳定性好：良好的热管理特性有助于在大功率应用中保持较低的工作温度，延长器件寿命。
　　? 紧凑设计：TO-220封装提供较高的功率密度，同时节省PCB空间，适合紧凑型电源设计。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。

CS3N65A4H-G 主要用于以下应用场景：
　　? 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC电源转换，如适配器、充电器和服务器电源。
　　? DC-DC转换器：在升压、降压或反相拓扑中作为主开关器件，用于电池供电设备和工业控制系统。
　　? 负载开关：用于控制高电压负载的接通与断开，如电机驱动、加热元件和LED照明系统。
　　? 电源管理模块：在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中，作为核心开关元件。
　　? 逆变器和UPS系统：用于不间断电源和工业逆变器中，实现高效的能量转换。

FQP6N60C、IRFBC40、STF6N60DM2、SiHP06N60CD