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MT15N3R9B500CT 发布时间 时间:2025/3/27 14:30:04 查看 阅读:13

MT15N3R9B500CT是一款基于硅基材料的高压功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。该器件属于N沟道增强型MOSFET,适用于高频开关和高电压应用场合。其采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点,适合用于各种电力电子转换系统中。

参数

型号:MT15N3R9B500CT
  类型:N沟道MOSFET
  额定电压:900V
  额定电流:15A
  导通电阻:0.3Ω(典型值)
  栅极电荷:45nC(最大值)
  输入电容:1200pF(典型值)
  最大功耗:200W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

MT15N3R9B500CT的主要特点是其具备较高的额定电压(900V),这使得它非常适合在高压环境下运行。此外,其导通电阻相对较低,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  该器件还具有良好的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定的性能。同时,其快速开关能力使其成为高频开关电源和电机驱动器的理想选择。
  另外,由于采用了优化的设计结构,这款MOSFET可以承受较高的浪涌电流,从而提高了系统的可靠性和耐用性。

应用

MT15N3R9B500CT广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:
  - 开关电源(SMPS)
  - 直流-直流转换器
  - 电机驱动控制
  - 太阳能逆变器
  - 不间断电源(UPS)
  - 高压工业设备
  这些应用主要得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关性能,能够在复杂的工作条件下提供高效的电力转换和控制功能。

替代型号

MT16N3R9B500CT, IRFP460, STP15NF90

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MT15N3R9B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.06408卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-