CS2N65A3 是一款由COSMO(韩国公司)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、马达控制等应用。该器件具备低导通电阻、高效率、耐高压和大电流能力等优点,适用于高频率开关操作环境。CS2N65A3采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,适用于各种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):650V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
功率耗散(Pd):83W
CS2N65A3 是一款高性能N沟道MOSFET,具有出色的电气性能和稳定性。其主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,提高系统效率。该器件支持高达650V的漏源电压,适用于高电压应用场景。同时,CS2N65A3具备较强的电流承载能力,连续漏极电流可达5A,满足大多数功率转换需求。
此外,CS2N65A3 采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种控制电路设计。由于其高开关速度和低开关损耗,该MOSFET非常适合用于高频开关电源、逆变器和马达控制电路中。
CS2N65A3还具有较高的可靠性和耐用性,适用于各种工业设备、电源适配器、LED照明驱动器以及消费类电子产品。其封装形式便于安装和散热管理,适用于通孔焊接工艺,适合大批量生产应用。
CS2N65A3 广泛应用于多种电源管理与功率控制领域。在开关电源(SMPS)中,CS2N65A3 可用于主开关电路或同步整流电路,提升整体转换效率。在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于升压或降压拓扑结构,适用于电池供电设备和电源模块。
此外,CS2N65A3 还可用于马达驱动电路,如无刷直流电机控制、风扇调速系统以及智能家电中的功率控制部分。在照明系统中,该器件可用于LED驱动电路,提供稳定的电流控制和高效能转换。
工业自动化设备、UPS不间断电源、充电器和适配器等也常采用CS2N65A3作为核心功率开关器件。其高耐压和大电流能力使其在高功率密度设计中表现出色,适合需要高效能、高可靠性的应用场合。
STP5NK60Z, FQA5N60C, 2SK2142, 2SK2545