时间：2025/8/1 15:27:49
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CS2N60FA9HY 是一款由华润微电子（CR Micro）生产的高性能N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能，适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃时）
最大漏-源电压（Vds）：60V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.8mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃～+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
CS2N60FA9HY具有出色的导通和开关性能，其主要优势在于其极低的Rds(on)值，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。该器件采用了先进的沟槽技术，实现了更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而在相同封装下提供更优的电气性能。
此外，CS2N60FA9HY具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合高功率密度应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于焊接和散热管理，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产流程。
CS2N60FA9HY广泛应用于多种高效率电源管理系统中。在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关或同步整流器，显著提高转换效率并降低发热。在电池管理系统中，CS2N60FA9HY可作为高侧或低侧负载开关，用于实现快速、可靠的充放电控制。此外，它也适用于服务器电源、通信电源、电动工具、电动车辆（如电瓶车、电动汽车）的电源模块以及高功率LED驱动电源等场合。
SiHF120N60E、IRF120N60HD、IPB120N60CDG、FDP120N60、TK120E60W
