CS2N60B4D 时间：2025/8/1 23:53:31 阅读：16

CS2N60B4D 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有较低的导通电阻、较高的电流承载能力和良好的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等电路中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：2.0A
　　功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：3.0Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CS2N60B4D 具备出色的电气特性和热性能，适用于高效率电源系统设计。其高耐压能力（600V）使其在高压应用中表现出色，例如开关电源（SMPS）、AC-DC 适配器和LED驱动器。该器件的低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，TO-252 封装具备良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持稳定。CS2N60B4D 还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，确保了在恶劣工作环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到各种功率电子系统中。
　　该器件的制造工艺采用了先进的平面技术，确保了稳定的电气性能和较长的使用寿命。其内部结构优化，减少了寄生电容，提高了高频开关性能，适用于高频转换器应用。此外，CS2N60B4D 的封装设计便于安装和散热管理，适合自动化生产和表面贴装工艺。整体而言，CS2N60B4D 是一款适用于多种高压功率应用的高性能MOSFET。

应用

CS2N60B4D 常用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、适配器、LED 照明驱动电路、电机控制器、电池管理系统、负载开关以及工业自动化和控制设备。其高电压和高效率特性使其特别适用于需要高效能和稳定性的电源系统。此外，它也可用于家用电器、电信设备和汽车电子系统中的功率控制部分。