类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：7A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-252

CS2N60A7H MOSFET具备多项优良特性，适用于高性能电源设计。其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于AC/DC电源转换器等高压应用。栅源电压容限为±20V，确保在不同驱动条件下器件的稳定性。
　　该器件的连续漏极电流为7A，在特定工作温度下仍能保持稳定性能，适用于中等功率的电源系统。脉冲漏极电流可达28A，具备较强的瞬态负载能力，适合在需要短时高电流输出的场合使用。
　　其导通电阻Rds(on)典型值为1.2Ω，能够在导通状态下保持较低的功率损耗，提高整体系统的效率。同时，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　CS2N60A7H的封装形式包括TO-220和TO-252，具备良好的散热能力，适用于不同安装需求。TO-220封装适合插件安装，而TO-252则适合表面贴装工艺，提高了在PCB上的适用性。
　　此外，该MOSFET具备较高的可靠性，工作温度范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、家电电源、LED驱动电源等多种应用场景。

CS2N60A7H广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在电源管理领域。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用作主开关元件，实现高效的能量转换。由于其具备较高的电压耐受能力和较低的导通电阻，非常适合用于AC/DC和DC/DC转换器中。
　　该MOSFET也适用于负载开关电路，能够快速控制负载的通断，适用于智能电源管理系统。此外，CS2N60A7H还可用于电机驱动电路，控制直流电机的启停与调速，尤其适合小功率电机控制应用。
　　在LED照明系统中，CS2N60A7H可用于恒流驱动电路，确保LED光源的稳定运行。其快速开关特性有助于减少闪烁现象，提高照明质量。
　　该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统等工业和消费类电子产品中，具备良好的适应性和稳定性。

K2645, 2SK2645, FQP7N60C, IRF7N60A