CS2N60A4HY是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率电源转换应用。这款MOSFET具有高耐压能力、低导通电阻和快速开关特性,适用于诸如电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动以及电机控制等场景。CS2N60A4HY采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合高功率密度设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2A
导通电阻(Rds(on)):最大2.5Ω
耗散功率(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
CS2N60A4HY具有出色的电气性能和稳定性,其主要特性包括:
1. 高耐压能力:漏源电压额定值为600V,使其适用于高电压环境下的开关操作。
2. 低导通电阻:最大Rds(on)为2.5Ω,降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。
3. 快速开关速度:优化的内部结构设计减少了开关延迟和上升/下降时间,适合高频应用。
4. 高可靠性:采用了先进的平面工艺技术,确保了器件在高温和高负载条件下的稳定运行。
5. 过热保护:在高功耗条件下,器件具有一定的过热保护能力,延长使用寿命。
6. 封装优势:TO-220封装提供了良好的散热能力,便于安装在散热片上,适应各种PCB布局需求。
CS2N60A4HY广泛应用于多种电力电子系统中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括:
1. 电源适配器:用于笔记本电脑、手机等便携设备的AC-DC电源转换器中,作为主开关器件,提高转换效率并减小体积。
2. DC-DC转换器:在车载电源系统、工业控制设备中,作为高侧或低侧开关,实现不同电压等级之间的能量转换。
3. LED照明驱动:用于恒流驱动电路,确保LED光源的稳定性和长寿命。
4. 电机控制:在小型电机或风扇控制电路中,作为PWM调速开关,实现精确的速度调节。
5. 家用电器:如电饭煲、微波炉等家电中的功率控制模块,提供可靠的开关性能。
6. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)中的继电器替代方案,减少电磁干扰并提高响应速度。
STP2N60K3, FQP2N60, IRFBC20