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STP15NM60ND 发布时间 时间:2025/7/22 14:03:30 查看 阅读:5

STP15NM60ND是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用先进的技术,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于开关电源、电机驱动、照明系统和DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):15A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V 至 4.5V
  导通电阻(Rds(on)):最大0.35Ω
  封装类型:TO-220、D2PAK

特性

STP15NM60ND具有低导通电阻,这使得在大电流工作时能够减少功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备优异的开关性能,使得在高频应用中能够实现快速的开关切换,从而降低开关损耗。
  该器件的热性能也十分优异,能够在较高的温度下稳定工作,适合在恶劣的工业环境中使用。STP15NM60ND还具备高雪崩能量耐受能力,增强了器件在突发电压情况下的可靠性。
  其封装形式(如TO-220和D2PAK)提供了良好的散热性能,便于在PCB上安装和散热管理。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的10V和12V栅极驱动电路,提高了设计的灵活性。
  该器件符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的应用领域。

应用

STP15NM60ND广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源(SMPS)设计中,它被用于主开关元件,实现高效的AC-DC或DC-DC转换。在电机驱动系统中,该MOSFET可用于H桥结构,控制电机的方向和速度。
  该器件还常用于LED照明驱动器,特别是在需要高效率和稳定性的恒流驱动电路中。此外,STP15NM60ND也被广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化设备中的功率控制部分。
  由于其高可靠性和良好的热性能,STP15NM60ND也适用于需要长时间连续运行的工业控制系统和电源管理系统。

替代型号

STP16NF60ND, STW15NM60ND, IRFBC40, FDPF15NM60

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STP15NM60ND参数

  • 其它有关文件STP15NM60ND View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 50V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-8443-5