STP15NM60ND 时间：2025/7/22 14:03:30 阅读：7

STP15NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用先进的技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于开关电源、电机驱动、照明系统和DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V 至 4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.35Ω
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

STP15NM60ND具有低导通电阻，这使得在大电流工作时能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备优异的开关性能，使得在高频应用中能够实现快速的开关切换，从而降低开关损耗。
　　该器件的热性能也十分优异，能够在较高的温度下稳定工作，适合在恶劣的工业环境中使用。STP15NM60ND还具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在突发电压情况下的可靠性。
　　其封装形式（如TO-220和D2PAK）提供了良好的散热性能，便于在PCB上安装和散热管理。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V栅极驱动电路，提高了设计的灵活性。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的应用领域。

应用

STP15NM60ND广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，它被用于主开关元件，实现高效的AC-DC或DC-DC转换。在电机驱动系统中，该MOSFET可用于H桥结构，控制电机的方向和速度。
　　该器件还常用于LED照明驱动器，特别是在需要高效率和稳定性的恒流驱动电路中。此外，STP15NM60ND也被广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化设备中的功率控制部分。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，STP15NM60ND也适用于需要长时间连续运行的工业控制系统和电源管理系统。