STP15NM60ND是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用先进的技术,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于开关电源、电机驱动、照明系统和DC-DC转换器等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):15A
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V 至 4.5V
导通电阻(Rds(on)):最大0.35Ω
封装类型:TO-220、D2PAK
STP15NM60ND具有低导通电阻,这使得在大电流工作时能够减少功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备优异的开关性能,使得在高频应用中能够实现快速的开关切换,从而降低开关损耗。
该器件的热性能也十分优异,能够在较高的温度下稳定工作,适合在恶劣的工业环境中使用。STP15NM60ND还具备高雪崩能量耐受能力,增强了器件在突发电压情况下的可靠性。
其封装形式(如TO-220和D2PAK)提供了良好的散热性能,便于在PCB上安装和散热管理。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的10V和12V栅极驱动电路,提高了设计的灵活性。
该器件符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的应用领域。
STP15NM60ND广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源(SMPS)设计中,它被用于主开关元件,实现高效的AC-DC或DC-DC转换。在电机驱动系统中,该MOSFET可用于H桥结构,控制电机的方向和速度。
该器件还常用于LED照明驱动器,特别是在需要高效率和稳定性的恒流驱动电路中。此外,STP15NM60ND也被广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化设备中的功率控制部分。
由于其高可靠性和良好的热性能,STP15NM60ND也适用于需要长时间连续运行的工业控制系统和电源管理系统。
STP16NF60ND, STW15NM60ND, IRFBC40, FDPF15NM60