CS25N06B4 时间：2025/6/6 8:48:38 阅读：6

CS25N06B4是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等电路中。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
　　CS25N06B4采用TO-252封装形式，适合表面贴装工艺，同时具备良好的散热性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：17A
　　导通电阻：18mΩ
　　栅极电荷：29nC
　　开关速度：快速开关
　　工作结温范围：-55℃ to +175℃

特性

CS25N06B4的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升效率。
　　2. 高电流承载能力，适用于大功率应用环境。
　　3. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
　　4. 稳定的电气性能，能够在极端温度条件下正常工作。
　　5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路板上。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。

应用

CS25N06B4适用于多种电子电路和系统，主要应用领域包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 负载开关控制，用于保护电路免受过流或短路影响。
　　4. 电机驱动器中的功率级组件，用于控制电机的速度和方向。
　　5. 各种便携式设备和消费类电子产品中的功率管理模块。