您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y684KXAAR31G

GA1210Y684KXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/19 4:48:12 查看 阅读:4

GA1210Y684KXAAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信领域中的信号增强与传输。该芯片采用先进的半导体制造工艺,在高频段表现出卓越的增益性能和线性度。其设计旨在满足现代通信系统对高效率、低失真以及宽动态范围的需求。
  此型号通常被用于蜂窝基站、中继器以及其他需要高功率输出的应用场景。

参数

工作频率:500 MHz - 6 GHz
  增益:25 dB
  输出功率(1 dB 压缩点):43 dBm
  饱和输出功率:46 dBm
  电源电压:28 V
  静态电流:2 A
  封装形式:QFN-32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y684KXAAR31G 具有以下显著特点:
  1. 高效的功率转换效率,能够有效降低系统的能耗。
  2. 宽带操作能力,支持多个频段的同时覆盖,增强了应用灵活性。
  3. 内置匹配网络,简化了外部电路设计,降低了开发难度。
  4. 优异的线性度表现,适合于复杂的数字调制信号处理。
  5. 稳定的工作性能,即使在极端环境下也能保持良好的输出一致性。
  6. 小型化封装,便于集成到紧凑型设备中。

应用

该芯片广泛应用于多种无线通信系统中,具体包括:
  1. 蜂窝基站中的信号放大功能。
  2. 微波中继站中的高功率传输模块。
  3. 点对点及点对多点无线电通信链路。
  4. 雷达系统中的发射端组件。
  5. 卫星地面站的上行链路设备。
  6. 工业、科学和医疗(ISM)频段内的专用通信设备。

替代型号

GA1210Y684KXAAR32G, GA1210Y684KXAAR33G

GA1210Y684KXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-