时间：2025/8/2 0:17:59
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CS20N90ANRD是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和各种高功率电子设备中。该器件由华润微电子（China Semiconductor）制造，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适合在高效率和高可靠性的电路设计中使用。CS20N90ANRD采用TO-263封装形式，具有良好的散热性能，适用于表面贴装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
连续漏极电流（Id）：20A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
栅极电压范围：±30V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-263
功率耗散（Pd）：125W
漏极电容（Coss）：约130pF
栅极电荷（Qg）：约34nC
CS20N90ANRD具有多项优异的电气和物理特性，确保其在复杂工作环境中的稳定性和可靠性。首先，其高耐压能力（900V）使其适用于高电压应用，如高压电源转换器和电机控制电路。其次，导通电阻Rds(on)仅为0.38Ω，确保在高电流工作条件下，功率损耗较小，提高了整体能效。此外，该MOSFET的栅极电荷Qg较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高频开关电源设计。
该器件的封装采用TO-263形式，具有良好的散热能力，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。同时，CS20N90ANRD的热阻较低，使其在高负载条件下仍能保持稳定的性能。在可靠性方面，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时高压冲击，避免因电压波动导致的损坏。
CS20N90ANRD还具有良好的抗静电能力（ESD），在生产、运输和使用过程中不易受到静电干扰，提高了器件的耐用性。其栅极氧化层设计也经过优化，增强了器件的长期稳定性，降低了因栅极击穿引起的失效风险。这些特性使CS20N90ANRD在工业自动化、电动汽车充电设备、太阳能逆变器等高性能应用中表现出色。
CS20N90ANRD主要应用于高电压和高功率场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，该器件还可用于LED驱动电源、家电变频器、电动工具及新能源汽车充电模块等场合。
建议可替代型号：STF20N90K5（STMicroelectronics）、FQA20N90C（Fairchild）、TK20A90D（Toshiba）
