时间：2025/9/14 5:43:56
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BUK9M43-100EX 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。BUK9M43-100EX 通常用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用。该MOSFET是一款N沟道增强型场效应晶体管，适用于中高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：43A
导通电阻(Rds(on))：14mΩ @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
功率耗散(Pd)：130W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
BUK9M43-100EX 采用先进的TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为14mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其漏源电压为100V，漏极电流可达43A，具备良好的电流承载能力，适用于高功率密度设计。
该器件的栅极电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，避免在高频开关过程中因电压尖峰而损坏。同时，其最大功率耗散为130W，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
此外，BUK9M43-100EX 采用标准TO-220封装，具有良好的散热性能，便于在PCB上安装和散热管理。其工作温度范围从-55°C到+175°C，适合在极端环境条件下运行，提高了器件的可靠性和稳定性。
该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源、同步整流和DC-DC转换器等应用。同时，其优异的热性能和电气特性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电源管理系统的理想选择。
BUK9M43-100EX 主要用于各种高效率功率转换和控制应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电源管理系统、工业自动化设备、电池供电系统和汽车电子系统。由于其优异的导通特性和高电流承载能力，该器件特别适合用于高功率密度设计和高效能要求较高的应用场景。
IPB043N10N3, FDP4332, IRF1404, STP43NM10
