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H27UDG8YFMNR-BC 发布时间 时间:2025/9/1 19:42:11 查看 阅读:21

H27UDG8YFMNR-BC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片,属于其高密度、高性能存储解决方案的一部分。该型号为嵌入式存储器,广泛用于需要大容量存储和快速数据访问的设备中,如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及嵌入式系统。

参数

类型:NAND Flash
  容量:8GB
  封装:BGA
  接口:ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
  电压:1.8V / 3.3V
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

H27UDG8YFMNR-BC 具备多项高性能和可靠性特点。首先,其8GB的存储容量适用于中高端嵌入式设备,提供充足的数据存储空间。其次,该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种高速接口协议,确保了与主控器之间的高效数据传输,读写速度显著提升。此外,该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有良好的电气性能和机械稳定性,适用于高密度PCB布局。
  该芯片的供电电压兼容1.8V和3.3V,增强了其在不同系统设计中的适用性。低功耗设计使其特别适合移动设备和电池供电应用。H27UDG8YFMNR-BC 还具备良好的耐久性和数据保持能力,可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适应各种严苛环境。此外,它支持ECC(错误校正码)功能,有助于提高数据完整性和可靠性,降低数据错误率。
  这款NAND Flash芯片集成了多项先进技术,如坏块管理、磨损均衡和错误校正机制,确保长期稳定运行。其设计旨在满足现代消费电子和工业设备对高容量、高速度和高可靠性的需求。

应用

H27UDG8YFMNR-BC 主要用于需要高性能嵌入式存储的电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、电子书阅读器、便携式媒体播放器等消费类电子产品。在工业领域,该芯片可用于数据记录仪、嵌入式控制系统、工业自动化设备等需要可靠存储解决方案的场景。此外,它还可用于固态硬盘(SSD)和存储扩展模块,为用户提供经济高效的存储升级方案。

替代型号

H27UCG8T2MYR-BC, H27UCG8VFM1R-BC, H27UCG8T2M

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