类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650V
　　最大漏极电流(ID)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：0.22Ω（典型值）
　　栅极电压(VGS)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-3PN、DPAK（根据具体版本而定）

CS20N65ANH 具备多项优异特性，适用于高功率和高可靠性应用场景。
　　首先，该MOSFET的最大漏源电压为650V，能够满足多数中高功率开关电源的设计需求，例如反激式变换器、PFC（功率因数校正）电路等。其最大连续漏极电流可达20A，确保在较高负载条件下仍能稳定运行。
　　其次，CS20N65ANH 的导通电阻 RDS(on) 为0.22Ω（典型值），在同类产品中具备较低的导通损耗，有助于提高系统效率并降低发热。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下保持性能稳定。
　　在封装方面，CS20N65ANH 通常采用 TO-220、TO-3PN 或 DPAK 等标准封装形式，便于安装和散热管理，适用于多种 PCB 布局和散热设计。
　　最后，该器件具备较强的抗雪崩能力和较高的 dv/dt 容忍度，能够在高频开关应用中保持稳定运行，减少因瞬态电压引起的失效风险。

CS20N65ANH 主要应用于各类高功率开关电源系统中，包括但不限于：
　　1. 电源适配器（如笔记本电脑电源、手机充电器等）中的主开关管或PFC开关管；
　　2. LED 照明驱动电路中的恒流控制开关；
　　3. 工业用电机控制、变频器和逆变器中的功率开关；
　　4. DC-DC 转换器、反激式电源拓扑中的开关元件；
　　5. 家用电器（如空调、洗衣机、电磁炉等）中的功率控制模块。
　　由于其具备较高的电压和电流能力，CS20N65ANH 在需要中高功率密度设计的场合中具有广泛的应用前景。

FQA20N65C、FDPF20N65S、IRFGB40N65B、STF20N65M5、TK20A65W