CS20N60A8H 时间：2025/8/2 2:53:03 阅读：15

CS20N60A8H是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件由华润微电子（CR Micro）制造，采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热性能。CS20N60A8H的额定漏源电压为600V，最大漏极电流为20A，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和各类功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.22Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）等
　　功率耗散（PD）：125W（TC=25°C）

特性

CS20N60A8H采用先进的平面工艺，具有优异的开关性能和导通性能，适用于高频开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压特性使其适用于600V的高压应用场景，如AC-DC电源、UPS系统和工业电机驱动。此外，CS20N60A8H具备良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高功率密度环境下稳定运行。
　　该MOSFET还具有快速恢复的体二极管，适用于需要反向电流恢复的应用场合。其封装设计具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或PCB板上，提高整体系统的可靠性。CS20N60A8H的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。

应用

CS20N60A8H广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电机控制驱动器、电磁炉、UPS不间断电源以及DC-DC转换器等。在这些应用中，CS20N60A8H可以作为主开关器件，承担高电压和高电流的切换任务。此外，该器件也适用于工业自动化设备、智能家电和电动车充电模块等高可靠性要求的场合。