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IS66WVS2M8ALL-104NLI 发布时间 时间:2025/12/28 18:18:47 查看 阅读:25

IS66WVS2M8ALL-104NLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM属于高速、低功耗的异步SRAM产品系列,广泛用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。该芯片采用标准的TSOP封装,适用于工业温度范围,适合在工业控制、通信设备和消费类电子产品中使用。

参数

容量:256K x 8位
  组织形式:256K地址 x 8数据位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:10 ns(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:54
  封装尺寸:520 mils x 200 mils
  接口类型:并行异步接口
  读写控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
  数据输入/输出:I/O0-I/O7
  封装标准:JEDEC标准兼容

特性

IS66WVS2M8ALL-104NLI是一款高性能异步SRAM芯片,具有以下显著特性:
  1. **高速访问**:该芯片的最大访问时间为10 ns,这意味着它可以在非常短的时间内完成数据读取操作,满足高速数据处理需求。
  2. **宽电压范围**:芯片支持2.3V至3.6V的电源电压范围,使其适用于多种电源管理系统,并能在不同的电压条件下保持稳定运行。
  3. **工业级温度适应性**:IS66WVS2M8ALL-104NLI支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适合在恶劣的工业环境和高温条件下使用。
  4. **低功耗设计**:该SRAM芯片在保持高速性能的同时,采用了低功耗技术,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  5. **封装紧凑**:采用TSOP封装,体积小、重量轻,便于在空间受限的电路板上布局,同时符合JEDEC标准,便于替换和升级。
  6. **可靠性和稳定性**:作为ISSI的成熟SRAM产品,IS66WVS2M8ALL-104NLI具有高稳定性和长期可靠性,适用于对数据存储要求较高的工业和通信设备。
  7. **并行异步接口**:该芯片使用标准的并行异步接口,易于与各种微控制器和嵌入式系统集成,简化了硬件设计和调试流程。

应用

IS66WVS2M8ALL-104NLI因其高速、低功耗和工业级温度特性,广泛应用于多个领域,包括:
  1. **工业自动化控制**:在PLC、工业计算机和自动化设备中作为高速缓存或临时数据存储器。
  2. **通信设备**:用于路由器、交换机和基站等通信设备中的数据缓冲和快速访问存储器。
  3. **消费电子产品**:如数字电视、多媒体播放器等设备中用于临时数据存储和缓存。
  4. **测试与测量仪器**:在示波器、逻辑分析仪等精密仪器中用于高速数据采集和处理。
  5. **汽车电子系统**:在车载导航、车载娱乐系统以及车身控制模块中作为高速存储单元。
  6. **嵌入式系统**:适用于需要高速数据处理和临时存储的嵌入式系统,如工控机、数据采集设备等。
  7. **医疗设备**:用于医疗成像设备、监护仪等需要高可靠性和稳定性的医疗仪器中。

替代型号

IS66WV256ALALL-104NLI, CY62148EALL10ZS, IDT71V416SAALL10YI

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IS66WVS2M8ALL-104NLI参数

  • 现有数量57现货
  • 价格1 : ¥26.47000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口SPI,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电1.65V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC