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CS13N50FA9H 发布时间 时间:2025/8/1 23:57:16 查看 阅读:20

CS13N50FA9H是一款由COSMO SEMICONDUCTOR制造的N沟道功率MOSFET,适用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。该器件采用了先进的平面技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高耐压特性,使其在高功率应用中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):13A
  最大漏极-源极电压(VDS):500V
  最大栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.38Ω(最大值,VGS=10V)
  耗散功率(PD):60W
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

CS13N50FA9H MOSFET具有多个关键特性,使其在多种功率应用中表现优异。首先,其低导通电阻(RDS(on))可以显著降低导通损耗,提高系统效率。这对于高功率密度设计尤为重要,因为降低导通损耗可以减少热量产生,从而简化散热设计。
  其次,该器件的最大漏极-源极电压为500V,能够承受高电压应力,适用于高压电源和工业控制应用。此外,CS13N50FA9H的栅极-源极电压范围为±20V,提供了较高的驱动灵活性,并允许使用标准的栅极驱动电路,而无需额外的电压限制保护电路。
  封装方面,该MOSFET通常采用TO-220或类似的大功率封装形式,确保良好的散热性能。其金属外壳可以有效地将热量传导至散热片,从而保持芯片在高负载条件下的稳定运行。此外,CS13N50FA9H的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种恶劣环境条件下的稳定工作。
  在动态性能方面,CS13N50FA9H具备快速开关特性,能够支持高频操作,减少开关损耗,提高系统响应速度。这对于现代开关电源和DC-DC转换器而言是一个关键优势,因为高频操作可以减小外部滤波元件的尺寸,从而实现更紧凑的设计。

应用

CS13N50FA9H广泛应用于各类功率电子设备中。在开关电源(SMPS)领域,该MOSFET可用于构建高效的AC-DC转换器,例如适配器、充电器和服务器电源等。其高耐压能力和低导通电阻使其成为这些应用中的理想选择。
  此外,CS13N50FA9H也适用于DC-DC转换器,特别是在升压(Boost)、降压(Buck)和反激式(Flyback)拓扑结构中。这些转换器广泛用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器和工业自动化设备中。
  在电机控制方面,该MOSFET可用于构建H桥驱动电路,以控制直流电机或无刷直流电机(BLDC)的速度和方向。其高电流承载能力和快速开关特性能够提供稳定的电机驱动性能,同时减少能耗。
  由于其高可靠性和宽工作温度范围,CS13N50FA9H还可用于工业控制系统、智能家电和LED照明驱动器等应用。这些领域对电子元器件的长期稳定性和可靠性要求较高,而CS13N50FA9H的特性正好满足这些需求。

替代型号

FQP13N50C, STP13NK50Z, IRF740

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