类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V~4.0V
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CS130N10A8采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备以下显著特性：
　　1. **低导通电阻**：RDS(on)低至7.5mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　2. **高电流承载能力**：在100V工作电压下可支持高达30A的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。
　　3. **快速开关性能**：具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），可实现快速开关，减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　4. **优异的热稳定性**：采用TO-252封装，具备良好的散热性能，在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
　　5. **高可靠性**：经过严格的工艺控制和测试验证，确保在恶劣环境下仍具备长寿命和高稳定性。
　　6. **栅极保护设计**：内置栅极保护二极管，提高抗静电能力和抗过压能力，增强器件在复杂电磁环境下的稳定性。
　　这些特性使得CS130N10A8在电源转换、电机控制、工业自动化等领域具有出色的性能表现。

CS130N10A8凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于以下领域：
　　1. **开关电源（SMPS）**：如AC-DC适配器、服务器电源、工业电源模块等，用于高效能功率转换。
　　2. **DC-DC转换器**：适用于高功率密度的降压（Buck）或升压（Boost）转换器，提升转换效率。
　　3. **电机驱动**：用于直流电机、步进电机和伺服电机的H桥驱动电路，提供高电流输出能力。
　　4. **电池管理系统**：如电动工具、电动车和储能系统中的充放电管理电路。
　　5. **负载开关与电源管理**：用于控制高功率负载的通断，如LED照明驱动、工业控制设备等。
　　6. **汽车电子**：适用于车载充电器、车载逆变器、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。
　　此外，该器件也可用于功率因数校正（PFC）电路、逆变器和UPS不间断电源系统中。

IRF130N10A、STP30NF10、FDP130N10A