时间：2025/8/2 1:14:40
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CS10N70FA9D是一款高性能的N沟道功率MOSFET，专为高功率应用设计。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于各种电源转换和电机控制应用。CS10N70FA9D通常封装在TO-220或TO-263等功率封装中，以提供良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：700V
最大漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：典型值为58nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220、TO-263等
CS10N70FA9D的主要特性包括低导通电阻、高击穿电压以及优异的热稳定性和可靠性。其低导通电阻确保了在高电流应用中的低功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力使其适用于高电压输入的应用，如开关电源、AC-DC转换器等。此外，CS10N70FA9D具有良好的热阻性能，能够在高温环境下稳定工作，提升了器件的使用寿命和可靠性。
该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。其栅极驱动设计兼容常见的驱动电路，简化了设计和应用的复杂度。CS10N70FA9D广泛应用于高功率开关电路中，能够满足工业控制、电源管理和电机驱动等领域的需求。
CS10N70FA9D广泛应用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路等高功率应用场合。其高耐压和大电流能力使其非常适合用于工业电源系统、LED照明驱动、电动工具和家用电器等场景。
STP10N70FA, FQA10N70, IRFGB40N70
