类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤5.3mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

CS100N06D4 MOSFET具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中更低的功率损耗，提高整体系统效率。
　　其次，该器件具有高耐压能力（60V），适用于多种中压功率转换电路，如同步整流、Buck/Boost转换器等。
　　此外，CS100N06D4采用TO-263表面贴装封装，具有良好的热性能和电流承载能力，便于在PCB上安装和散热管理。
　　其高可靠性设计使其在高温环境下仍能稳定工作，工作温度范围可达-55°C至+150°C，满足工业级和部分车规级应用需求。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能在瞬态过压条件下提供额外的保护，增强系统的稳定性和耐用性。

CS100N06D4 主要应用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及功率放大器等。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载充电器、电动工具、LED驱动器和各种车载电源转换模块。
　　在工业控制领域，CS100N06D4可广泛用于伺服驱动器、PLC模块、工业电源和智能电表等设备中。
　　此外，由于其优异的导通性能和热稳定性，该MOSFET也适用于高效率的光伏逆变器和储能系统中的功率控制环节。

SiHF100N06E、IRF1010E、FDP100N06S08A、AON6260、NTMFS4C10N