供电电压：15V 至 30V
　　输出电流：±4A（峰值）
　　隔离耐压：5700VRMS（符合 UL61010 和 UL60950 标准）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　传播延迟：小于 100ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：大于 100kV/μs
　　输出电压范围：0V 至 25V（可调）
　　封装形式：DIP-14 或 SMD-14

CS100N03B4-1 在设计上采用了先进的磁隔离技术，实现了输入与输出之间的高电压隔离，确保系统在高电压、高频率环境下的安全性。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可以有效防止在供电电压不足时驱动功率器件，从而避免器件损坏。芯片还具备过流保护（OCP）和过热保护（OTP）功能，进一步增强了系统的稳定性和可靠性。
　　该芯片的输出驱动能力高达 ±4A 峰值电流，能够快速驱动 SiC 和 GaN 器件，减少开关损耗并提高效率。CS100N03B4-1 的低传播延迟（<100ns）和高共模瞬态抗扰度（>100kV/μs）使其在高频和高噪声环境中仍能保持稳定的驱动性能。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于恶劣的工业和汽车应用环境。
　　CS100N03B4-1 提供 DIP-14 和 SMD-14 两种封装形式，便于在不同电路板设计中灵活使用。其模块化设计简化了外围电路，降低了设计复杂度，提高了系统集成度。

CS100N03B4-1 主要用于需要高可靠性和高性能的功率电子系统中，如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电器（OBC）、逆变器和 DC/DC 转换器；太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块；工业电机驱动器和伺服控制器；以及不间断电源（UPS）和高频开关电源等应用。其优异的隔离性能和强大的驱动能力使其成为 SiC 和 GaN 功率器件的理想驱动解决方案。

ACPL-K3HG、Si827x、ADuM4136、UCC21520