时间：2025/8/13 18:36:49
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CRXQC75M120G2Q 是由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款碳化硅（SiC）功率模块，专为高效率、高频率和高温度应用设计。该模块采用了碳化硅 MOSFET 技术，具有优异的导通和开关性能，适用于需要高功率密度和高效能转换的电力电子系统。
类型：碳化硅（SiC）功率模块
配置：半桥（2个开关）
最大集电极电流（IC）：75A
最大阻断电压（VCES）：1200V
导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：双列直插式（Dual Inline）
短路耐受能力：6倍过载电流，持续时间10μs
最大工作频率：可达50kHz以上
热阻（Rth）：结到外壳约0.25°C/W
CRXQC75M120G2Q 拥有出色的导通和开关损耗特性，使得该模块能够在高频率下运行，同时保持较高的系统效率。其碳化硅材料具有优异的热导率和高温稳定性，使其能够在恶劣的温度环境下可靠运行。此外，该模块具有较高的短路耐受能力，提高了系统在异常情况下的安全性和稳定性。其紧凑的封装设计有助于减少寄生电感，提高开关性能，从而进一步优化系统的整体设计。
CRXQC75M120G2Q 主要应用于电动汽车（EV）充电器、太阳能逆变器、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高功率密度电源转换系统等领域。由于其高效的能量转换能力和优越的热性能，该模块特别适合用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电力电子设备。
CRXKQ75N120H2Q4, CRXKQ60N120H2Q4
