CRXQ45M065G2Z 是一款高功率密度的 SiC(碳化硅) MOSFET 模块,主要用于工业和汽车领域的高效能电力电子转换系统。该模块采用了先进的碳化硅技术,具备低导通电阻、快速开关速度和高温工作能力等优势,适合应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器以及电动汽车牵引逆变器等场景。
相比传统硅基器件,SiC MOSFET 在高频和高温环境下表现出色,能够显著提升系统的效率和功率密度。
额定电压:1200V
额定电流:65A
导通电阻:4.5mΩ
最大工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装类型:Direct Bond Copper (DBC) 基板
栅极电荷:80nC
反向恢复时间:30ns
结壳热阻:0.12°C/W
CRXQ45M065G2Z 具备以下关键特性:
1. 高效性能:基于碳化硅材料,其导通电阻低且开关损耗小,可大幅降低能量损耗。
2. 快速开关能力:具有较低的栅极电荷和极短的反向恢复时间,非常适合高频应用。
3. 耐高温设计:最高支持 175°C 的结温操作,增强了模块在恶劣环境下的可靠性。
4. 紧凑封装:采用 DBC 基板技术,提升了散热性能并减少了寄生电感的影响。
5. 高可靠性:通过了严格的测试验证,确保在长期使用中的稳定性。
CRXQ45M065G2Z 广泛适用于以下领域:
1. 新能源发电:如太阳能光伏逆变器和风力发电变流器。
2. 工业设备:包括伺服驱动器、变频器和 UPS 系统。
3. 电动汽车:用于主驱逆变器、车载充电器(OBC)和 DC/DC 转换器。
4. 充电桩:支持快充桩中的高效功率转换模块。
5. 能量存储系统:用于电池管理系统中的双向功率转换。
CRXQ40M080G2Z, CRXQ50M065G2Z