时间：2025/6/30 23:42:10
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CRTT030N04L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 CREE 公司的碳化硅 (SiC) MOSFET 系列。这种器件采用先进的碳化硅技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于高频和高效能功率转换应用。该器件通常用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及其他需要高性能功率管理的领域。
其封装形式为 TO-247-3，适合表面贴装或通孔安装，能够提供卓越的电气性能和散热能力。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：150nC
开关频率：高达 100kHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-247-3
CRTT030N04L 的主要特性包括以下几点：
1. 使用碳化硅材料，确保低导通损耗和高效率。
2. 具有快速开关能力和低栅极电荷，可显著降低开关损耗。
3. 高工作温度范围支持恶劣环境下的稳定运行。
4. 封装设计优化了散热性能，便于集成到各种功率模块中。
5. 提供高可靠性和长寿命，适合关键性应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
CRTT030N04L 广泛应用于多个领域，主要包括：
1. 工业电源供应器，如不间断电源 (UPS) 和服务器电源。
2. 太阳能光伏逆变器，用于高效能量转换。
3. 电动汽车 (EV) 充电桩及车载充电器。
4. 高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
5. 电机驱动和变频控制设备。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
C2M0030120D
