时间：2025/8/1 19:37:36
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CRTS029N06N是一款由Cissoid公司生产的高温、高可靠性双N沟道功率MOSFET器件，适用于极端环境下的高效功率转换应用。该器件设计用于在高温条件下（最高可达225°C）持续工作，无需额外的散热器或冷却系统，非常适合用于航空航天、石油勘探、电动汽车和工业自动化等恶劣环境中。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）@25°C：29A
导通电阻（RDS(on)）：29mΩ @VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+225°C
封装形式：PowerDFN
功率耗散（PD）：150W
热阻（RthJC）：0.6°C/W
CRTS029N06N具有出色的高温稳定性，可在高达225°C的环境下稳定工作，确保在极端条件下的系统可靠性。
其双N沟道MOSFET结构允许高效并联使用，提高整体功率密度和系统效率。
该器件的低导通电阻（RDS(on)）仅为29mΩ，可显著降低导通损耗，提升能效。
采用先进的封装技术，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于高振动和冲击环境。
该器件的宽工作温度范围使其适用于各种极端环境，包括高温油井探测、航空航天和重型工业设备。
CRTS029N06N还具备良好的短路和过载保护能力，确保在异常工作条件下的器件安全性。
CRTS029N06N广泛应用于高温环境下的电力电子系统，如航空航天电源、油井勘探设备、电动汽车逆变器、高温电机驱动器、工业自动化控制模块等。
在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器、DC-DC转换器和电池管理系统，提供高效稳定的功率转换解决方案。
在航空航天领域，CRTS029N06N可应用于高温电源模块和电机控制器，确保在极端温度下的系统稳定运行。
此外，该器件也适用于高可靠性工业设备，如高温传感器、智能电网设备和恶劣环境下的通信电源系统。
CRTP035N06N
