类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：105A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为5.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

CRTM105N06L具有多个关键特性，确保其在各种功率电子应用中的高效性能。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。这在高电流应用中尤为重要，因为低Rds(on)意味着在相同的电流条件下，器件的功率损耗更小，从而减少了热量的产生。
　　其次，该MOSFET的高电流承载能力（额定连续漏极电流为105A）使其适用于需要高功率密度的设计。这使得CRTM105N06L能够胜任高负载条件下的工作，确保在高功率输出时的稳定性和可靠性。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和热稳定性。这种结构设计不仅增强了器件的电气性能，还提升了其在高温环境下的工作可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的10V或12V驱动电压，适用于大多数栅极驱动IC的应用需求。其快速开关特性也减少了开关损耗，进一步提高了系统的整体效率。
　　最后，CRTM105N06L采用了TO-252（DPAK）封装形式，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度和可靠性，适合表面贴装工艺，便于在PCB上安装和使用。

CRTM105N06L因其优异的电气特性和高可靠性，广泛应用于多种功率电子系统中。
　　在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中，作为高效的开关元件，提高转换效率并减少发热。其高电流承载能力和低导通电阻使其特别适用于高功率密度的电源模块设计。
　　在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制电路，提供快速、可靠的开关操作，保护电池免受过流或短路的损害。
　　此外，CRTM105N06L也适用于电机驱动、电源适配器、UPS（不间断电源）、服务器电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压能力和优异的热稳定性使其在恶劣的工作环境中依然能够保持稳定性能。
　　消费类电子产品中，如大功率LED照明驱动电路、智能家电中的电源控制部分，也常常采用该器件以提高系统的整体效率和可靠性。

SiR107N06C, Infineon IPB06N010N, STMicroelectronics STP105N6F6